SIA110DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SIA110DJ-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.93 |
10+ | $0.828 |
100+ | $0.6454 |
500+ | $0.5332 |
1000+ | $0.4209 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® SC-70-6 |
Serie | TrenchFET® Gen IV |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 4A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® SC-70-6 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 50 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.4A (Ta), 12A (Tc) |
Grundproduktnummer | SIA110 |
SIA110DJ-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SIA110DJ-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 12V 4.5A SC-70-6
MOSFET N-CH 12V 4.5A PPAK SC70-6
TOSHIBA QFP
MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAK
SAMSUNG DIP
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
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MOSFET N-CH 80V 6.6A/12A PPAK
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SIA110DJ-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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